2011-04-29
18:36 По страницам газеты «Советская Россия». |
Ж.И. Алферов: Успех «Сколково» может быть достигнут, если наука в стране снова начнет развиваться |
В НАСТОЯЩЕЕ время для нашей страны нет более важной задачи, чем возрождение высокотехнологичных отраслей промышленности, основанных на современных научных исследованиях и технологиях. В сущности, вопрос стоит о жизни и смерти страны, или мы действительно можем вернуться в разряд передовых развитых стран, или нам уготована судьба колонии, пока еще богатой природными ресурсами. Развал Советского Союза был для нас огромной политической, нравственной, и в первую очередь экономической трагедией. Разделив страну на пятнадцать так называемых независимых государств (большинство их можно так назвать, потому что от них почти ничего не зависит), проведя почти во всех, за исключением разве Белоруссии, воровскую приватизацию и практически уничтожив высокотехнологичные отрасли промышленности, мы привели наши страны, в том числе самую развитую среди них в науке и технологиях Российскую Федерацию, в разряд отсталых развивающихся стран. В современных естественных науках и что особенно важно современных технологиях мы просто потеряли четверть столетия. Последний тезис проще всего проиллюстрировать на примере полупроводниковой электроники основы современных информационных технологий, а значит, и современного информационного общества. В середине 80-х и у нас, и за рубежом основной технологический размер в кремниевых интегральных схемах (чипах) был 0,8–1,0 мкм, при этом нам ничего не продавалось, мы всё создавали сами. Сегодня в развитых странах в массовом производстве он составляет 0,09 мкм (90 нанометров), в Китае, Израиле, Японии, Южной Корее и Тайване 65 и даже 45 нанометров, а в США уже 32 нанометра, мы же на лучшем и почти единственном уцелевшем от разгрома отечественном предприятии «Микрон» в Зеленограде еще только осваиваем купленную во Франции технологию 180 нанометров. Прогресс и объявленная
президентом страны Д.А.Медведевым модернизация возможны только при условии
максимального использования и развития научного потенциала страны. Поэтому
только глупостью, а возможно и чем-то хуже, можно объяснить ведущуюся у нас уже
более 20 лет кампанию против Российской академии наук и противопоставление
вузовской и академической науки. Эта дискуссия носит чисто политический
характер, и здесь очень уместно процитировать китайского лидера конца
семидесятых годов Дэн Сяопина: не важно какого цвета кот, черный он или белый.
Хороший кот такой, который ловит мышей. Сегодня в научных исследованиях
Российская академия наук ловит мышей гораздо лучше, чем вузы или разгромленная
усилиями Е.Гайдара и Б.Салтыкова отраслевая наука бывших промышленных
министерств. Замечу сразу, что сравнение с Кремниевой долиной, конечно, прежде всего символическое, но не только… Позволю себе очень кратко рассказать историю возникновения Кремниевой долины – эпицентра полупроводниковой промышленности в Калифорнии, на противоположном побережье от штатов Нью-Джерси, Нью-Йорк и Массачусетс, где был изобретен транзистор и были развиты основные полупроводниковые и многие другие новые технологии. Изобретение транзистора в конце сороковых годов прошлого столетия в исследовательском центре фирмы «Белл Телефон» явилось стартом промышленной полупроводниковой революции, которая изменила технологическое и социальное лицо нашей планеты. Это выдающееся открытие Джона Бардина, Уолтера Браттэйна и Вильяма Шокли вполне заслуженно было отмечено Нобелевской премией по физике в 1956 году. Автору посчастливилось лично знать эту замечательную троицу, а с Д.Бардиным в течение полугода в 1970–1971 годах регулярно общаться и обсуждать самые различные проблемы. Почему же Кремниевая долина
возникла южнее от Сан-Франциско, а не в Нью-Джерси или в районе Нью-Йорка и
Бостона, где уже был и Массачусетский технологический институт с его знаменитой
радиационной лабораторией, ведущие компании:
Bell Telephon,
General Electric,
IBM,
RCA,
располагавшие мощными исследовательскими центрами, где активно велись и
фундаментальные исследования, нередко отмеченные Нобелевскими премиями и, что
немаловажно, рождавшие принципиально новые технологии. Часто называют создателем
Кремниевой долины профессора Стэнфордского университета и декана инженерного
факультета Фредерика Термана, действительно много сделавшего для привлечения
сюда фирм и создания хороших условий для электронной промышленности. НЕ СЛУЧАЙНО Моисеем Кремниевой долины называют Вильяма Шокли. В пятидесятые годы В.Шокли пользовался огромной популярностью в научном и инженерном полупроводниковом сообществе. Его монография «Электроны и дырки в полупроводниках», переведенная на русский язык в 1954 году под названием «Электронные полупроводники», была настольной книгой по обе стороны Атлантического океана. Я вспоминаю, как мой старый друг, ученик Д.Бардина, профессор Иллинойского университета, один из пионеров и основателей полупроводниковой оптоэлектроники Ник Холоньяк говорил мне, что если бы он плыл на пароходе, потерпевшем крушение, и он мог бы взять с собой только одну книгу – он бы взял книгу Шокли «Электроны и дырки в полупроводниках». Наконец Шокли был руководителем
научных исследований на «Белл Телефон», приведших к открытию и транзистора. Но
он отличался огромным, хотя и имевшим основание, самомнением, был диктатором в
работе, признавал только работы, которые велись по его указанию и его идеям.
После создания транзистора группа стала распадаться, первым ушел в 1951 году
Джон Бардин, в будущем единственный в истории физики дважды нобелевский лауреат.
Вторую премию он получил в 1972 году за создание теории сверхпроводимости. В
1954 году сам В.Шокли покинул «Белл Телефон». Прослужив год в Вашингтоне
руководителем группы советников объединенного комитета начальников штабов
Вооруженных сил США по перспективным системам оружия, Шокли в апреле 1955 года
решает, что наступило время осуществить свои идеи организации новых компаний в
области высоких технологий. Что это были за идеи? В конце августа 1955 года он встретился со своим старым другом со студенческих времен в Калифорнийском технологическом институте Арнольдом Бекманом, ставшим к этому времени не только хорошим ученым-химиком, но и успешным бизнесменом. В середине 50-х его компания «Бекман инструментс» насчитывала более двух тысяч сотрудников в США, Канаде и ФРГ, специализируясь на разработке и производстве аналитического оборудования для контроля промышленных процессов. Результатом этих встреч явилось создание к концу года благодаря финансовой поддержке А.Бекмана и под эгидой «Бекман инструментс» новой компании «Шокли транзистор корпорация» в Пало-Альто, место хорошо знакомое Шокли, когда он был еще подростком. Он становится президентом
компании и директором «Шокли полупроводниковой лаборатории». Шокли привлек в
свою компанию большую группу молодых, очень талантливых специалистов. Хотя ему
не удалось никого привлечь из исследовательского центра «Белл Телефон»,
поскольку, как отметил Dr.
I.
Ross
(позже в 1979–1991 годах президент «Белл Лаборатории»), «мы
слишком хорошо его знали». Но там, где лично его не знали, приглашение «самой
важной персоны в полупроводниковой электронике» было невозможно отклонить. Так
появились вместе с Шокли вблизи Стэнфорда Гордон Мур, Роберт Нойс, Джек Хорни,
Джей Ласт и другие. Успех Кремниевой долины был
достигнут благодаря технологическому прорыву, осуществленному приведенной
В.Шокли в Калифорнию талантливой команды инженеров и исследователей,
обеспечивших лидерство в уже бурно развивающейся, несущей революционные
изменения в экономике и обществе полупроводниковой промышленности. Уже в 1970
году в долине было 43, а в Роль государства в этом, как теперь принято говорить, проекте состояла прежде всего в том, что были востребованы Пентагоном и НАСА исследования, разработки и продукция на их основе. Две приоритетные военные программы сыграли при этом решающую роль: подготовка полета космического корабля «Аполлон» на Луну и разработка ракеты «Минитмен». Использование кремниевых чипов в этих программах стало стартом их широкого коммерческого применения. ТЕПЕРЬ о советской Кремниевой
долине. Значение открытия в 1947 году точечного транзистора и затем в 1951–1952
годах транзистора на p-n
структурах в германии и кремнии было оценено у нас в стране
сразу. Вполне вероятно, что если бы не мобилизация всех ресурсов, и в том числе,
что очень важно, кадровых, на атомную проблему, то создание транзистора могло
случиться и в нашей стране, например в Ленинградском физико-техническом
институте (ЛФТИ), где еще в довоенные годы были заложены основы физики
полупроводников, открыты новые явления и разработана теория, без которых и
создание транзистора было бы невозможным. Это отметил в своей Нобелевской лекции
и Д.Бардин. В 1949 году были созданы экспериментальные точечные транзисторы и в
НИИ – 160 (Фрязино) и в ЛФТИ, а к концу года были освоены в серийном
производстве. Таким образом, 1949 год стал годом начала серийного производства
точечных транзисторов и в США, и в СССР. Сохранение научного потенциала в эти годы могло быть отчасти успешным благодаря международному научному сотрудничеству и совместным международным грантам и проектам. ТАК ПОЧЕМУ же сравнение
«Сколково» и Кремниевой долины не только символично? Мы живем сегодня в
капиталистической стране, где деньги стали самой важной категорией, выше
нравственных идеалов, а часто даже и родственных отношений; патриотизм,
естественное желание видеть свою страну первой для очень многих – устаревшие
понятия. Ну а если все-таки мы начинаем сознавать, что высокие технологии,
основанные на наших научных исследованиях и разработках, нам жизненно необходимы
и в будущем намного важнее, чем «наше всё – Газпром»?! С САМОГО начала были и сомнения. А если все это только пиар и новый способ «распиливать» выделяемые государством средства? В новом законе о «Сколково» льготы и привилегии распространяются на территорию, а не на характер работ, а статус участника исследовательского проекта присваивается без учета мнения Научно-консультативного совета. Развитие проекта шло не только без участия нашего совета, но и без предоставления своевременной информации. Наконец, высшие органы управления проектом «Сколково» – попечительский совет и Совет Фонда «Сколково» – обходились не только без нас, сопредседателей НКС, но и вообще без высококвалифицированных и реально работающих ученых. Единственное исключение: в попечительский совет был введен Ю.С.Осипов, президент РАН, но и это скорее просто дань должности. Как тут было не вспомнить, что мне сказал один из самых уважаемых людей в стране академик Е.М.Примаков после моего согласия стать сопредседателем НКС: «Жорес, они просто используют тебя, как декорацию». Исторические параллели всегда
рискованны и далеко не всегда имеют смысл. Но все-таки вспомним некоторые
события из истории нашей страны. Окончилась Гражданская война, страна лежала в
разрухе, модернизация страны была крайне необходима. Родился новый
государственный орган, сыгравший в возрождении и развитии страны огромную и,
безусловно, положительную роль – Госплан, Государственная плановая комиссия.
В.И.Ленину доложили, что есть две кандидатуры на пост председателя Госплана:
выдающийся, очень способный администратор Пятаков и ученый с большим опытом и
знаниями, академик Кржижановский. Ответ Владимира Ильича: «Председателем должен
быть ученый, а выдающийся администратор пусть будет у него заместителем». И
вскоре Госплан, возглавляемый Кржижановским, родил один из самых мощных
российских инновационных проектов, изменивших лицо страны – план ГОЭЛРО. В новых условиях образование, конечно, нуждается в серьезных изменениях, и эти процессы идут в ведущих вузах страны, и задача бюрократов вовремя их поддержать. Один из императивов современного образования на уровне магистратуры и аспирантуры состоит в том, что в своей учебной и научной деятельности университет должен ориентироваться на решение важнейших технологических задач и широко развивать междисциплинарные учебные и исследовательские программы. Для решения этих задач в мире возникли новые университеты, имеющие в своем составе только магистратуру и аспирантуру. Первым в России стал Санкт-Петербургский академический университет – Научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук. НА ЗАСЕДАНИИ НКС 3 февраля 2011 года и российские, и зарубежные члены единодушно высказались за необходимость рассмотрения Советом всех проектов, предлагаемых для участия в «Сколково» и солидарно отвергли предложение Массачусетского технологического института (МИТ) о создании университета в «Сколково» под контролем и жестким руководством МИТ, практически исключающим активное участие российских и других зарубежных вузов. Зарубежные члены совета, отмечая высокий уровень науки и образования в России в ведущих университетах и Российской академии наук, единодушно высказались за пересмотр концепции создания Технологического университета «Сколково». В результате была предложена новая концепция, учитывающая опыт МФТИ, Академического университета и других ведущих российских и зарубежных вузов. Успех проекта «Сколково» может
быть только в том случае если определить, поддержать финансами и, что важнее
всего, способными кадрами проекты, в которых мы можем выйти на самые передовые
позиции в наиболее перспективных направлениях. Успех проекта «Сколково» может быть достигнут в результате самого тесного и, наверное, вначале весьма болезненного симбиоза науки с рождающимися высокотехнологичными бизнес-компаниями. Современной научный молодежи и
не только ей я хотел бы напомнить сказанные в той же лекции слова Фредерика
Жолио-Кюри: «Ученый должен из чувства патриотизма развивать свои идеи и
просвещать сограждан в отношении роли науки, которая должна служить освобождению
человека, а не накоплению личных прибылей». Жорес АЛФЁРОВ, |
коротко об автореАлфёров Жорес Иванович, советский и российский физик, лауреат Нобелевской премии по физике 2000 года, общественный и политический деятель, депутат фракции КПРФ в Государственной Думе РФ Родился 15 марта 1930 в Витебске, Белоруссия. Имя получил в честь Жана Жореса, основателя газеты L'Humanite и лидера французской социалистической партии. Довоенные годы провёл в Сталинграде, Новосибирске, Барнауле и Ленинградской области. Во время Великой Отечественной войны семья Алфёровых перехала в Свердловскую область и после её окончания в разрушенный войной Минск. Окончил с золотой медалью среднюю школу №42 в Минске и поехал поступать в Ленинград, в ЛЭТИ. В 1952 окончил Ленинградский Электротехнический институт имени В. И. Ульянова (ЛЭТИ) (факультет электронной техники), куда был принят без экзаменов. С 1953 работал в Физико-Техническом Институте имени А. Ф. Иоффе, где был младшим научным сотрудником в лаборатории В.М. Тучкевича и принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов. В 1970 году Алферов защитил диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках, и получил степень доктора физико-математических наук. В 1972 году Алферов стал профессором, а через год - заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ. С начала 1990-х годов Алферов занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. С 1987 по май 2003 — директор СПбГЭТУ, с мая 2003 по июль 2006 — научный руководитель. Кандидат ф.-м.н.наук (1961), доктор физико-математических наук (1970). Профессор ЛЭТИ (1972). В 1990-91 гг. — вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра, академик АН СССР (1979), затем РАН, почётный академик Российской академии образования. Вице-президент РАН, председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН. Автор более пятисот научных работ, трех монографий и пятидесяти изобретений. С 1989 по 1992 — народный депутат СССР. В 1995 – избран депутатом Государственной думы Федерального собрания РФ 2 созыва. В 1999-2003 — депутат Государственной думы Федерального собрания РФ 3 созыва от КПРФ, член комитете по образованию и науке. В 2003-2007 — депутат Государственной думы Федерального собрания РФ 4 созыва от партии КПРФ, Лауреат Нобелевской премии — «За развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники», (Швеция, 2000); Награжден орденами СССР: Орден Знак Почёта (1959), Трудового Красного Знамени (1975), Октябрьской Революции (1980), Ленина (1986) , а также орденами Российской Федерации «За заслуги перед Отечеством» I- III степеней (1999 - 2005) |